功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2008年
8期
1298-1301,1305
,共5页
PTCR%BST薄膜%陷阱填充限制电流%空间电荷限制电流
PTCR%BST薄膜%陷阱填充限製電流%空間電荷限製電流
PTCR%BST박막%함정전충한제전류%공간전하한제전류
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性.反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制.正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应.利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受εr(T)和V(Tc/T)+1的共同作用,其中εr(T)的作用占优.
利用射頻(RF)濺射在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上沉積(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,製成Pt/BST/Pt平闆電容,研究在正反偏壓下BST薄膜漏電流的J-V和J-T特性.反偏壓時,上電極Pt和BST薄膜形成肖特基接觸,漏電流遵循肖特基髮射機製.正偏壓時,BST薄膜和下電極Pt界麵存在大量的界麵態,使得漏電流遵循空間電荷限製電流(SCLC)機製,漏電流密度隨偏壓的增加而急劇增加,隨測試溫度的增加而減小產生瞭PTCR效應.利用深陷阱空間電荷限製電流模型,解釋瞭BST薄膜的PTCR效應受εr(T)和V(Tc/T)+1的共同作用,其中εr(T)的作用佔優.
이용사빈(RF)천사재Pt/Ti/SiO2/Si츤저상침적(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)박막,제성Pt/BST/Pt평판전용,연구재정반편압하BST박막루전류적J-V화J-T특성.반편압시,상전겁Pt화BST박막형성초특기접촉,루전류준순초특기발사궤제.정편압시,BST박막화하전겁Pt계면존재대량적계면태,사득루전류준순공간전하한제전류(SCLC)궤제,루전류밀도수편압적증가이급극증가,수측시온도적증가이감소산생료PTCR효응.이용심함정공간전하한제전류모형,해석료BST박막적PTCR효응수εr(T)화V(Tc/T)+1적공동작용,기중εr(T)적작용점우.
