红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2010年
4期
264-267
,共4页
段国玉%宋思超%魏昌东%王松有%贾瑜
段國玉%宋思超%魏昌東%王鬆有%賈瑜
단국옥%송사초%위창동%왕송유%가유
高k材料%第一性原理%电子结构%光学性质
高k材料%第一性原理%電子結構%光學性質
고k재료%제일성원리%전자결구%광학성질
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,研究了金红石结构TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子后形成的化合物HfxTi1-xO2的几何结构、电子结构和光学性质.计算结果表明,化合物HfxTi1-xO2都是具有间接带隙的半导体,Hf的替代使TiO2的禁带宽度有不同程度的增加,静态光学介电常数减小,但均高于SiO2,因此能够满足微电子行业对于高k材料的要求.
利用基于密度汎函理論的平麵波超軟贗勢法,研究瞭金紅石結構TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子後形成的化閤物HfxTi1-xO2的幾何結構、電子結構和光學性質.計算結果錶明,化閤物HfxTi1-xO2都是具有間接帶隙的半導體,Hf的替代使TiO2的禁帶寬度有不同程度的增加,靜態光學介電常數減小,但均高于SiO2,因此能夠滿足微電子行業對于高k材料的要求.
이용기우밀도범함이론적평면파초연안세법,연구료금홍석결구TiO2이급불동비례Hf체대Ti원자후형성적화합물HfxTi1-xO2적궤하결구、전자결구화광학성질.계산결과표명,화합물HfxTi1-xO2도시구유간접대극적반도체,Hf적체대사TiO2적금대관도유불동정도적증가,정태광학개전상수감소,단균고우SiO2,인차능구만족미전자행업대우고k재료적요구.
