6H-SiC单晶锭边缘的多晶环控制
6H-SiC단정정변연적다정배공제
Limitation in the Thickness of Poly-SiC Ring along the Edge of 6H-SiC Single Crystal Ingot
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2010年 5期 1124-1129,1140 ,共7页

    封先锋%陈治明%蒲红斌

    봉선봉%진치명%포홍빈

    6H-SiC%多晶SiC%坩埚系统 6H-SiC%多晶SiC%坩堝繫統
    6H-SiC%다정SiC%감과계통
    6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质.本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为辅的多晶环厚度控制方案,利用自制设备进行了6H-SiC晶体生长验证实验,实验结果显示所生长6H-SiC单晶体不但周边和表面光滑,未有多晶出现,还实现了显著的扩径生长.
    6H-SiC정체생장과정중단정정변연형성적다정배영향단정체적품질.본연구제정료이개진감과계통결구위주、조정선권여감과상대위치위보적다정배후도공제방안,이용자제설비진행료6H-SiC정체생장험증실험,실험결과현시소생장6H-SiC단정체불단주변화표면광활,미유다정출현,환실현료현저적확경생장.
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