半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
3期
180-183
,共4页
王朝林%王一帆%岳红菊%刘肃
王朝林%王一帆%嶽紅菊%劉肅
왕조림%왕일범%악홍국%류숙
Si基JBS整流二极管%功率肖特基二极管%蜂窝状结构%I-V特性%场限环
Si基JBS整流二極管%功率肖特基二極管%蜂窩狀結構%I-V特性%場限環
Si기JBS정류이겁관%공솔초특기이겁관%봉와상결구%I-V특성%장한배
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果.在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流；采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压.对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF =0.78 V(正向电流IF=5A时),反向击穿电压可达340 V.
基于JBS整流二極管理論,詳細介紹瞭一種Si基JBS整流二極管設計方法、製備工藝及測試結果.在傳統肖特基二極管(SBD)有源區,利用光刻和固態源擴散工藝形成摻硼的蜂窩狀結構,與n型襯底形成pn結,反嚮偏置時抑製瞭因電壓增加引起的金屬-半導體勢壘高度降低,減小瞭漏電流；採用離子註入形成兩道場限環的終耑結構,有效防止瞭邊緣擊穿,提高瞭反嚮擊穿電壓.對製備的器件使用Tektronix 370B可編程特性麯線圖示儀進行瞭I-V特性測試,結果錶明本文設計的Si基JBS整流二極管正嚮壓降VF =0.78 V(正嚮電流IF=5A時),反嚮擊穿電壓可達340 V.
기우JBS정류이겁관이론,상세개소료일충Si기JBS정류이겁관설계방법、제비공예급측시결과.재전통초특기이겁관(SBD)유원구,이용광각화고태원확산공예형성참붕적봉와상결구,여n형츤저형성pn결,반향편치시억제료인전압증가인기적금속-반도체세루고도강저,감소료루전류；채용리자주입형성량도장한배적종단결구,유효방지료변연격천,제고료반향격천전압.대제비적기건사용Tektronix 370B가편정특성곡선도시의진행료I-V특성측시,결과표명본문설계적Si기JBS정류이겁관정향압강VF =0.78 V(정향전류IF=5A시),반향격천전압가체340 V.
