无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2004年
2期
397-403
,共7页
牛晓滨%廖源%常超%余庆选%方容川
牛曉濱%廖源%常超%餘慶選%方容川
우효빈%료원%상초%여경선%방용천
HFCVD%SiCN薄膜%α-Si3N4
HFCVD%SiCN薄膜%α-Si3N4
HFCVD%SiCN박막%α-Si3N4
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
在HFCVD繫統中採用SiH4/CH4/H2/N2混閤氣體成功的製備瞭SiCN薄膜.SEM照片顯示製備的SiCN薄膜由棒狀結構構成,而在HRTEM下髮現這些棒狀結構是由生長在無定型SiCN基體噹中的納米晶粒組成的.進一步的SAED和XRD分析說明SiCN納米晶粒具有類似于α-Si3N4的結構.XPS和FTIR分析錶明薄膜中含有Si、C、N和O幾種元素以及C=N、Si-N和C-N等共價鍵,但是併沒有觀察到C-Si的存在.由實驗得齣結論,SiCN晶體的生長包括兩箇步驟:α-Si3N4糰簇的生長和C取代其中Si的過程.
재HFCVD계통중채용SiH4/CH4/H2/N2혼합기체성공적제비료SiCN박막.SEM조편현시제비적SiCN박막유봉상결구구성,이재HRTEM하발현저사봉상결구시유생장재무정형SiCN기체당중적납미정립조성적.진일보적SAED화XRD분석설명SiCN납미정립구유유사우α-Si3N4적결구.XPS화FTIR분석표명박막중함유Si、C、N화O궤충원소이급C=N、Si-N화C-N등공개건,단시병몰유관찰도C-Si적존재.유실험득출결론,SiCN정체적생장포괄량개보취:α-Si3N4단족적생장화C취대기중Si적과정.
