太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2004年
3期
333-336
,共4页
多晶硅薄膜%PECVD法:低温制备
多晶硅薄膜%PECVD法:低溫製備
다정규박막%PECVD법:저온제비
采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径＞100nm)、高迁移率(～20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiH4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了将近10倍.通过本实验,我们认为在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.
採用常規的PECVD法在低溫(≤400℃)條件下製得大顆粒(直徑＞100nm)、高遷移率(～20cm2/vs),擇優取嚮(220)明顯的多晶硅薄膜.選用的反應氣體為SiH4和H2混閤氣體.加入少量的SiH4後,沉積速率提高瞭將近10倍.通過本實驗,我們認為在低溫時促使多晶硅結構形成的反應基元應是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基糰.
채용상규적PECVD법재저온(≤400℃)조건하제득대과립(직경＞100nm)、고천이솔(～20cm2/vs),택우취향(220)명현적다정규박막.선용적반응기체위SiH4화H2혼합기체.가입소량적SiH4후,침적속솔제고료장근10배.통과본실험,아문인위재저온시촉사다정규결구형성적반응기원응시SiFmHn(m+n≤3),이불가능시SiHn(n≤3)기단.
