半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
24-27
,共4页
宋书林%陈诺夫%柴春林%尹志岗%杨少延%刘志凯
宋書林%陳諾伕%柴春林%尹誌崗%楊少延%劉誌凱
송서림%진낙부%시춘림%윤지강%양소연%류지개
低能注入%砷化镓%X射线衍射%梯度磁强计
低能註入%砷化鎵%X射線衍射%梯度磁彊計
저능주입%신화가%X사선연사%제도자강계
在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.
在室溫條件下在半絕緣性GaAs襯底上進行瞭大劑量Mn離子的低能註入,併進行瞭不同條件的退火.藉助于X射線衍射(XRD)和高分辨X射線衍射(HR-XRD)進行瞭結構分析,經過退火後生成的新相衍射峰增多,根據襯底(004)峰搖襬麯線分析結果退火後更多的Mn離子進入晶格.運用原子力顯微鏡分析瞭樣品的錶麵,髮現退火後突起的起伏度增加.磁性分析錶明,退火樣品的磁化彊度增大.
재실온조건하재반절연성GaAs츤저상진행료대제량Mn리자적저능주입,병진행료불동조건적퇴화.차조우X사선연사(XRD)화고분변X사선연사(HR-XRD)진행료결구분석,경과퇴화후생성적신상연사봉증다,근거츤저(004)봉요파곡선분석결과퇴화후경다적Mn리자진입정격.운용원자력현미경분석료양품적표면,발현퇴화후돌기적기복도증가.자성분석표명,퇴화양품적자화강도증대.
