电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2006年
8期
1534-1536
,共3页
蔡一茂%黄如%单晓楠%周发龙%王阳元
蔡一茂%黃如%單曉楠%週髮龍%王暘元
채일무%황여%단효남%주발룡%왕양원
金属栅%镍硅金属栅%功函数%超浅结%锗预非晶化
金屬柵%鎳硅金屬柵%功函數%超淺結%鍺預非晶化
금속책%얼규금속책%공함수%초천결%타예비정화
随着超大规模集成电路技术的发展,CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术,因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义.本文研究了超浅结工艺中使用的锗预非晶化对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响.对具有不同剂量Ge注入的NiSi金属栅MOS电容样品的研究表明,锗预非晶化采用的Ge注入对NiSi金属栅的功函数影响很小(小于0.03eV),而且Ge注入也不会导致氧化层中固定电荷以及氧化层和硅衬底之间界面态的增加.这些结果表明,在自对准的先进CMOS工艺中,NiSi金属栅工艺和锗预非晶化超浅结工艺可以互相兼容.
隨著超大規模集成電路技術的髮展,CMOS器件的製備過程需要同時引入金屬柵和超淺結等新的先進工藝技術,因此各種新工藝的兼容性研究具有重要意義.本文研究瞭超淺結工藝中使用的鍺預非晶化對鎳硅(NiSi)金屬柵功函數的影響.對具有不同劑量Ge註入的NiSi金屬柵MOS電容樣品的研究錶明,鍺預非晶化採用的Ge註入對NiSi金屬柵的功函數影響很小(小于0.03eV),而且Ge註入也不會導緻氧化層中固定電荷以及氧化層和硅襯底之間界麵態的增加.這些結果錶明,在自對準的先進CMOS工藝中,NiSi金屬柵工藝和鍺預非晶化超淺結工藝可以互相兼容.
수착초대규모집성전로기술적발전,CMOS기건적제비과정수요동시인입금속책화초천결등신적선진공예기술,인차각충신공예적겸용성연구구유중요의의.본문연구료초천결공예중사용적타예비정화대얼규(NiSi)금속책공함수적영향.대구유불동제량Ge주입적NiSi금속책MOS전용양품적연구표명,타예비정화채용적Ge주입대NiSi금속책적공함수영향흔소(소우0.03eV),이차Ge주입야불회도치양화층중고정전하이급양화층화규츤저지간계면태적증가.저사결과표명,재자대준적선진CMOS공예중,NiSi금속책공예화타예비정화초천결공예가이호상겸용.
