物理学报
物理學報
물이학보
2006年
12期
6550-6555
,共6页
曹博%包良满%李公平%何山虎
曹博%包良滿%李公平%何山虎
조박%포량만%리공평%하산호
薄膜%扩散%界面反应%硅化物
薄膜%擴散%界麵反應%硅化物
박막%확산%계면반응%규화물
室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应.实验结果表明:当退火温度高于450 ℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著.当退火温度低于450 ℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500 ℃时才有铜硅化合物生成.
室溫下利用磁控濺射在p型Si(111)襯底上沉積瞭Cu薄膜.利用X射線衍射和盧瑟福揹散射分彆對未退火以及在不同溫度點退火後樣品的結構進行瞭錶徵.在此基礎上,研究瞭Cu/SiO2/Si(111)體繫的擴散和界麵反應.實驗結果錶明:噹退火溫度高于450 ℃時齣現明顯的擴散現象,併且隨著溫度的升高,體繫擴散現象會更加顯著.噹退火溫度低于450 ℃時沒有銅硅化閤物生成,噹溫度達到500 ℃時纔有銅硅化閤物生成.
실온하이용자공천사재p형Si(111)츤저상침적료Cu박막.이용X사선연사화로슬복배산사분별대미퇴화이급재불동온도점퇴화후양품적결구진행료표정.재차기출상,연구료Cu/SiO2/Si(111)체계적확산화계면반응.실험결과표명:당퇴화온도고우450 ℃시출현명현적확산현상,병차수착온도적승고,체계확산현상회경가현저.당퇴화온도저우450 ℃시몰유동규화합물생성,당온도체도500 ℃시재유동규화합물생성.
