量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2007年
6期
743-747
,共5页
光电子学%4H-SiC%p型欧姆接触%X射线光电子能谱%雪崩光电探测器
光電子學%4H-SiC%p型歐姆接觸%X射線光電子能譜%雪崩光電探測器
광전자학%4H-SiC%p형구모접촉%X사선광전자능보%설붕광전탐측기
对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究.通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10-4Ωcm2.分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对退火前后的表面形貌、金属之间以及金-半接触界面之间相互反应及扩散情况进行测试与分析,发现了影响欧姆接触性能的主要原因.对采用此欧姆接触制备的4H-SiC雪崩光电探测器进行测试,发现器件的击穿电压约为-55 V,此时其p型电极处的电压降仅为0.82 mV,可以满足4H-SiC雪崩光电探测器在高压下工作的需要.
對4H-SiC雪崩光電探測器的Ti/Al/Au p型歐姆接觸進行瞭詳細的研究.通過線性傳輸線模型(LTLM)測得經930℃退火後歐姆接觸的最小比接觸電阻為5.4×10-4Ωcm2.分彆用掃描電子顯微鏡(SEM)、俄歇電子能譜(AES)、X射線光電子能譜(XPS)和X射線衍射譜(XRD)對退火前後的錶麵形貌、金屬之間以及金-半接觸界麵之間相互反應及擴散情況進行測試與分析,髮現瞭影響歐姆接觸性能的主要原因.對採用此歐姆接觸製備的4H-SiC雪崩光電探測器進行測試,髮現器件的擊穿電壓約為-55 V,此時其p型電極處的電壓降僅為0.82 mV,可以滿足4H-SiC雪崩光電探測器在高壓下工作的需要.
대4H-SiC설붕광전탐측기적Ti/Al/Au p형구모접촉진행료상세적연구.통과선성전수선모형(LTLM)측득경930℃퇴화후구모접촉적최소비접촉전조위5.4×10-4Ωcm2.분별용소묘전자현미경(SEM)、아헐전자능보(AES)、X사선광전자능보(XPS)화X사선연사보(XRD)대퇴화전후적표면형모、금속지간이급금-반접촉계면지간상호반응급확산정황진행측시여분석,발현료영향구모접촉성능적주요원인.대채용차구모접촉제비적4H-SiC설붕광전탐측기진행측시,발현기건적격천전압약위-55 V,차시기p형전겁처적전압강부위0.82 mV,가이만족4H-SiC설붕광전탐측기재고압하공작적수요.
