衡阳师范学院学报
衡暘師範學院學報
형양사범학원학보
JOURNAL OF HENGYANG NORMAL UNIVERSITY
2007年
6期
59-63
,共5页
李业华%王海镔%高峰%唐振坤%王玲玲
李業華%王海鑌%高峰%唐振坤%王玲玲
리업화%왕해빈%고봉%당진곤%왕령령
磁量子结构%电子输运%自旋极化
磁量子結構%電子輸運%自鏇極化
자양자결구%전자수운%자선겁화
研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响.结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在-定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级.
研究瞭雙磁壘量子結構中,磁場彊度和偏壓大小對電子自鏇極化輸運的影響.結果錶明:零偏壓下,電子在反平行等彊磁壘結構中輸運不會產生自鏇極化;電子傳輸的閾值能量隨磁場彊度或偏置電壓的增大而增大;在-定的磁場彊度和偏壓大小下,比較由半導體InAs和GaAs兩類材料構成的量子結構中電子輸運自鏇極化度,髮現它們的電子輸運自鏇極化度都隨入射能量的增大而呈振盪衰減趨勢,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自鏇極化度高齣一箇數量級.
연구료쌍자루양자결구중,자장강도화편압대소대전자자선겁화수운적영향.결과표명:령편압하,전자재반평행등강자루결구중수운불회산생자선겁화;전자전수적역치능량수자장강도혹편치전압적증대이증대;재-정적자장강도화편압대소하,비교유반도체InAs화GaAs량류재료구성적양자결구중전자수운자선겁화도,발현타문적전자수운자선겁화도도수입사능량적증대이정진탕쇠감추세,랑덕유효인자고적InAs재료비GaAs적자선겁화도고출일개수량급.
