磁控溅射沉积含He纳米晶钛膜制备
자공천사침적함He납미정태막제비
Preparation of Helium-Charged Nanocrystalline Titanium Films Deposited by Magnetron Sputtering
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2007年 6期 644-647 ,共4页

    宋应民%罗顺忠%龙兴贵%彭述明%安竹%刘宁%庞洪超%段艳敏%吴兴春%杨本福%郑思孝

    송응민%라순충%룡흥귀%팽술명%안죽%류저%방홍초%단염민%오흥춘%양본복%정사효

    磁控溅射%氦含量%氦钛膜%平均晶粒尺寸 磁控濺射%氦含量%氦鈦膜%平均晶粒呎吋
    자공천사%양함량%양태막%평균정립척촌
    采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜.利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析.结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35 nm减小到约4 nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜.
    채용직류자공천사방법,통과분별개변츤저온도급He분압래제비불동양함량적태막.이용PBS、XRD、TEM급AFM분별대태막중적He함량、평균정립척촌급막적표면형모진행분석.결과표명:재불동온도범위내,온도변화대소제비태막중He함량적영향명현불동;He함량여정립척촌직접상관,양원자진입태막후,억제료정립적장대;수착태막중He여Ti적원자개수비유1.0%증가도11.9%,TEM측득적평균정립척촌유약35 nm감소도약4 nm;선택합괄적He분압,능구제비출He함량교고적양태막.
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