电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2009年
5期
1130-1135
,共6页
李演明%来新泉%贾新章%曹玉%叶强
李縯明%來新泉%賈新章%曹玉%葉彊
리연명%래신천%가신장%조옥%협강
线性稳压器%低漏失稳压器%快速瞬态响应%电源管理IC
線性穩壓器%低漏失穩壓器%快速瞬態響應%電源管理IC
선성은압기%저루실은압기%쾌속순태향응%전원관리IC
设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为0.49mm2.该LDO空载下的静态电流仅23μA,最大带载200mA.在1μF输出电容、200mA/100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5%.
設計瞭一種具有快速瞬態響應能力的低漏失穩壓器,利用提齣的一種瞬態響應加速(Transient Response Enhancement,TRE)電路,有效地提高瞭穩壓器的瞬態響應速度,而且瞬態響應速度的提高併不增加靜態電流.設計的LDO電路採用0.5μm標準CMOS工藝投片驗證,芯片麵積為0.49mm2.該LDO空載下的靜態電流僅23μA,最大帶載200mA.在1μF輸齣電容、200mA/100ns負載階躍變化時的最大瞬態輸齣電壓變化量小于3.5%.
설계료일충구유쾌속순태향응능력적저루실은압기,이용제출적일충순태향응가속(Transient Response Enhancement,TRE)전로,유효지제고료은압기적순태향응속도,이차순태향응속도적제고병불증가정태전류.설계적LDO전로채용0.5μm표준CMOS공예투편험증,심편면적위0.49mm2.해LDO공재하적정태전류부23μA,최대대재200mA.재1μF수출전용、200mA/100ns부재계약변화시적최대순태수출전압변화량소우3.5%.
