北京理工大学学报
北京理工大學學報
북경리공대학학보
JOURNAL OF BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2011年
2期
191-195
,共5页
加法器%稀疏树%半动态电路%多米诺
加法器%稀疏樹%半動態電路%多米諾
가법기%희소수%반동태전로%다미낙
描述了一种采用半动态电路的32位高性能加法器的设计.设计中改进了现有稀疏树结构中的输出进位逻辑,在此基础上,设计了一种容偏斜多米诺和静态电路相结合的半动态电路,以及相应的多个控制时钟的时序策略.根据几种不同的加法器负载驱动情况,分别设计出不同的电路尺寸.采用SMIC 1.8 V 0.18 μm CMOS工艺,在不同条件下的仿真结果表明,加法器电路取得了良好的性能.
描述瞭一種採用半動態電路的32位高性能加法器的設計.設計中改進瞭現有稀疏樹結構中的輸齣進位邏輯,在此基礎上,設計瞭一種容偏斜多米諾和靜態電路相結閤的半動態電路,以及相應的多箇控製時鐘的時序策略.根據幾種不同的加法器負載驅動情況,分彆設計齣不同的電路呎吋.採用SMIC 1.8 V 0.18 μm CMOS工藝,在不同條件下的倣真結果錶明,加法器電路取得瞭良好的性能.
묘술료일충채용반동태전로적32위고성능가법기적설계.설계중개진료현유희소수결구중적수출진위라집,재차기출상,설계료일충용편사다미낙화정태전로상결합적반동태전로,이급상응적다개공제시종적시서책략.근거궤충불동적가법기부재구동정황,분별설계출불동적전로척촌.채용SMIC 1.8 V 0.18 μm CMOS공예,재불동조건하적방진결과표명,가법기전로취득료량호적성능.
