固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
489-493
,共5页
互补型金属氧化物半导体环形振荡器%频漂补偿%频率-电压变换
互補型金屬氧化物半導體環形振盪器%頻漂補償%頻率-電壓變換
호보형금속양화물반도체배형진탕기%빈표보상%빈솔-전압변환
为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器(VCO)进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移.测试结果表明:CMOS环形振荡器输出频率为3.55 GHz,在温度区间-20～80℃内最差稳定度为2.45％,优于2.5％,达到射频识别系统中对频率稳定度的要求.
為瞭提高CMOS環形振盪器的穩定度,以溫度傳感器作為檢測電路,利用單穩態電路整形、濾波,把頻率變化轉變為電壓變化對壓控振盪器(VCO)進行負反饋調節,在溫度變化和電源微小波動時,抑製瞭頻率漂移.測試結果錶明:CMOS環形振盪器輸齣頻率為3.55 GHz,在溫度區間-20～80℃內最差穩定度為2.45％,優于2.5％,達到射頻識彆繫統中對頻率穩定度的要求.
위료제고CMOS배형진탕기적은정도,이온도전감기작위검측전로,이용단은태전로정형、려파,파빈솔변화전변위전압변화대압공진탕기(VCO)진행부반궤조절,재온도변화화전원미소파동시,억제료빈솔표이.측시결과표명:CMOS배형진탕기수출빈솔위3.55 GHz,재온도구간-20～80℃내최차은정도위2.45％,우우2.5％,체도사빈식별계통중대빈솔은정도적요구.
