微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
613-616,621
,共5页
段炼%黄伟%马成炎%叶甜春
段煉%黃偉%馬成炎%葉甜春
단련%황위%마성염%협첨춘
GPS接收机%低噪声放大器%ESD保护
GPS接收機%低譟聲放大器%ESD保護
GPS접수궤%저조성방대기%ESD보호
针对封装和ESD寄生对源极电感反馈结构低噪声放大器的影响,进行了详细的理论分析.在已发表文献的基础上,加入对ESD寄生引起的输入匹配网络改变的考虑,给出了新的噪声系数公式.根据分析结果,提出设计时的考虑.采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一款GPS L1波段的单端低噪声放大器.测试结果显示,电路增益达到18 dB,噪声系数为2.2 dB；在1.8V电压下,电流消耗为4.5 mA.
針對封裝和ESD寄生對源極電感反饋結構低譟聲放大器的影響,進行瞭詳細的理論分析.在已髮錶文獻的基礎上,加入對ESD寄生引起的輸入匹配網絡改變的攷慮,給齣瞭新的譟聲繫數公式.根據分析結果,提齣設計時的攷慮.採用0.18 μm CMOS工藝,設計瞭一款GPS L1波段的單耑低譟聲放大器.測試結果顯示,電路增益達到18 dB,譟聲繫數為2.2 dB；在1.8V電壓下,電流消耗為4.5 mA.
침대봉장화ESD기생대원겁전감반궤결구저조성방대기적영향,진행료상세적이론분석.재이발표문헌적기출상,가입대ESD기생인기적수입필배망락개변적고필,급출료신적조성계수공식.근거분석결과,제출설계시적고필.채용0.18 μm CMOS공예,설계료일관GPS L1파단적단단저조성방대기.측시결과현시,전로증익체도18 dB,조성계수위2.2 dB；재1.8V전압하,전류소모위4.5 mA.
