中华麻醉学杂志
中華痳醉學雜誌
중화마취학잡지
CHINESE JOURNAL OF ANESTHESIOLOGY
2007年
3期
240-243
,共4页
陶国荣%宋小星%任瑜%彭章龙%于布为
陶國榮%宋小星%任瑜%彭章龍%于佈為
도국영%송소성%임유%팽장룡%우포위
脑电描记术%雄甾烷醇类%麻醉,全身%清醒镇静
腦電描記術%雄甾烷醇類%痳醉,全身%清醒鎮靜
뇌전묘기술%웅치완순류%마취,전신%청성진정
目的 观察全身麻醉过程中,维库溴铵对脑电熵指数--状态熵(SE)和反应熵(RE)以及脑电双频谱指数(BIS)的影响.方法 ASAⅠ级或Ⅱ级择期手术患者60例,随机分为4组(n=15):Ⅰ组为对照组,静脉注射生理盐水;Ⅱ组、Ⅲ组、Ⅳ组为试验组,分别静脉注射维库溴铵0.03、0.06、0.12mg/kg.麻醉诱导采用异丙酚靶控输注(TCI),当效应室浓度(CE)达到3.5μg/ml时,按组别静脉注射维库溴铵或等容积生理盐水,5min后静脉注射芬太尼3μg/kg,行气管插管,观察5min后将Ⅰ组、Ⅱ组、Ⅲ组维库溴铵剂量补足到0.12mg/kg.记录诱导前即刻、CE达到3.5μg/ml、注射维库溴铵或生理盐水后1、2、3、4,5 min、气管插管前即刻、插管后即刻及插管后1、3、5 min的RE、SE、BIS、HR和MAP.结果 与维库溴铵静脉注射前即刻比较,4组静脉注射后各时点RE、SE、BIS、HR、MAP差异无统计学意义(P>0.05);4组间静脉注射前后RE、SE、BIS、HR、MAP比较差异无统计学意义(P>0.05).与插管前即刻比较,4组插管后即刻及插管后1min时RE、SE、BIS、HR和MAP均升高(P<0.05或0.01);与Ⅰ组比较,Ⅱ组、Ⅲ组、Ⅳ组插管后即刻和插管后1 min RE、SE和BIS降低(P<0.05),但3组间比较差异无统计学意义(P>0.05).结论 在深度镇静且无伤害性刺激时,维库溴铵对脑电熵指数和BIS无影响;存在伤害性刺激时(如气管插管),即使小剂量(0.03mg/kg)的维库溴铵也可降低脑电熵指数和BIS的升高幅度.
目的 觀察全身痳醉過程中,維庫溴銨對腦電熵指數--狀態熵(SE)和反應熵(RE)以及腦電雙頻譜指數(BIS)的影響.方法 ASAⅠ級或Ⅱ級擇期手術患者60例,隨機分為4組(n=15):Ⅰ組為對照組,靜脈註射生理鹽水;Ⅱ組、Ⅲ組、Ⅳ組為試驗組,分彆靜脈註射維庫溴銨0.03、0.06、0.12mg/kg.痳醉誘導採用異丙酚靶控輸註(TCI),噹效應室濃度(CE)達到3.5μg/ml時,按組彆靜脈註射維庫溴銨或等容積生理鹽水,5min後靜脈註射芬太尼3μg/kg,行氣管插管,觀察5min後將Ⅰ組、Ⅱ組、Ⅲ組維庫溴銨劑量補足到0.12mg/kg.記錄誘導前即刻、CE達到3.5μg/ml、註射維庫溴銨或生理鹽水後1、2、3、4,5 min、氣管插管前即刻、插管後即刻及插管後1、3、5 min的RE、SE、BIS、HR和MAP.結果 與維庫溴銨靜脈註射前即刻比較,4組靜脈註射後各時點RE、SE、BIS、HR、MAP差異無統計學意義(P>0.05);4組間靜脈註射前後RE、SE、BIS、HR、MAP比較差異無統計學意義(P>0.05).與插管前即刻比較,4組插管後即刻及插管後1min時RE、SE、BIS、HR和MAP均升高(P<0.05或0.01);與Ⅰ組比較,Ⅱ組、Ⅲ組、Ⅳ組插管後即刻和插管後1 min RE、SE和BIS降低(P<0.05),但3組間比較差異無統計學意義(P>0.05).結論 在深度鎮靜且無傷害性刺激時,維庫溴銨對腦電熵指數和BIS無影響;存在傷害性刺激時(如氣管插管),即使小劑量(0.03mg/kg)的維庫溴銨也可降低腦電熵指數和BIS的升高幅度.
목적 관찰전신마취과정중,유고추안대뇌전적지수--상태적(SE)화반응적(RE)이급뇌전쌍빈보지수(BIS)적영향.방법 ASAⅠ급혹Ⅱ급택기수술환자60례,수궤분위4조(n=15):Ⅰ조위대조조,정맥주사생리염수;Ⅱ조、Ⅲ조、Ⅳ조위시험조,분별정맥주사유고추안0.03、0.06、0.12mg/kg.마취유도채용이병분파공수주(TCI),당효응실농도(CE)체도3.5μg/ml시,안조별정맥주사유고추안혹등용적생리염수,5min후정맥주사분태니3μg/kg,행기관삽관,관찰5min후장Ⅰ조、Ⅱ조、Ⅲ조유고추안제량보족도0.12mg/kg.기록유도전즉각、CE체도3.5μg/ml、주사유고추안혹생리염수후1、2、3、4,5 min、기관삽관전즉각、삽관후즉각급삽관후1、3、5 min적RE、SE、BIS、HR화MAP.결과 여유고추안정맥주사전즉각비교,4조정맥주사후각시점RE、SE、BIS、HR、MAP차이무통계학의의(P>0.05);4조간정맥주사전후RE、SE、BIS、HR、MAP비교차이무통계학의의(P>0.05).여삽관전즉각비교,4조삽관후즉각급삽관후1min시RE、SE、BIS、HR화MAP균승고(P<0.05혹0.01);여Ⅰ조비교,Ⅱ조、Ⅲ조、Ⅳ조삽관후즉각화삽관후1 min RE、SE화BIS강저(P<0.05),단3조간비교차이무통계학의의(P>0.05).결론 재심도진정차무상해성자격시,유고추안대뇌전적지수화BIS무영향;존재상해성자격시(여기관삽관),즉사소제량(0.03mg/kg)적유고추안야가강저뇌전적지수화BIS적승고폭도.