连云港化工高等专科学校学报
連雲港化工高等專科學校學報
련운항화공고등전과학교학보
JOURNAL OF LIANYUNGANG COLLEGE OF CHEMICAL TECHNOLOGY
2001年
1期
1-4
,共4页
王建%营爱玲%王晓琳%俞斌
王建%營愛玲%王曉琳%俞斌
왕건%영애령%왕효림%유빈
微滤膜%流动电位%ζ电位%表面电荷密度
微濾膜%流動電位%ζ電位%錶麵電荷密度
미려막%류동전위%ζ전위%표면전하밀도
根据Helmholtz-smoluchowski方程,由实验测定的流动电位来计算MF膜的ζ电位,并根据Gouy-Chapmann方程,原估算出膜的微孔表面电荷密度.表明膜微孔表面ζ电位和电荷密度与电解质的种类、浓度有关.NaCl、KCl和Na2SO4体系的ζ电位相近,MgCl 2与MgSO4体系的ζ电位相近,即阳离子价态和结构越相近,ζ电位越相近,但当阴离子价态较高时,也有一定影响.由膜微孔表面ζ电位和电荷密度与溶液浓度的变化关系可知,在低浓度区域,膜表面ζ电位和电荷密度较高,并出现1个峰值,之后随浓度增大而缓慢降低.
根據Helmholtz-smoluchowski方程,由實驗測定的流動電位來計算MF膜的ζ電位,併根據Gouy-Chapmann方程,原估算齣膜的微孔錶麵電荷密度.錶明膜微孔錶麵ζ電位和電荷密度與電解質的種類、濃度有關.NaCl、KCl和Na2SO4體繫的ζ電位相近,MgCl 2與MgSO4體繫的ζ電位相近,即暘離子價態和結構越相近,ζ電位越相近,但噹陰離子價態較高時,也有一定影響.由膜微孔錶麵ζ電位和電荷密度與溶液濃度的變化關繫可知,在低濃度區域,膜錶麵ζ電位和電荷密度較高,併齣現1箇峰值,之後隨濃度增大而緩慢降低.
근거Helmholtz-smoluchowski방정,유실험측정적류동전위래계산MF막적ζ전위,병근거Gouy-Chapmann방정,원고산출막적미공표면전하밀도.표명막미공표면ζ전위화전하밀도여전해질적충류、농도유관.NaCl、KCl화Na2SO4체계적ζ전위상근,MgCl 2여MgSO4체계적ζ전위상근,즉양리자개태화결구월상근,ζ전위월상근,단당음리자개태교고시,야유일정영향.유막미공표면ζ전위화전하밀도여용액농도적변화관계가지,재저농도구역,막표면ζ전위화전하밀도교고,병출현1개봉치,지후수농도증대이완만강저.
