半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
2期
106-108,120
,共4页
太阳能直拉硅%热屏%双加热器%有限元法
太暘能直拉硅%熱屏%雙加熱器%有限元法
태양능직랍규%열병%쌍가열기%유한원법
介绍了Φ200 mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 mm/min.用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场,模拟结果表明:改造后的氩气流场被优化,界面附近的晶体纵向温度梯度增加,熔体纵向温度梯度减小.
介紹瞭Φ200 mm的太暘能用直拉硅(CZ Si)單晶生長中,採用熱屏、複閤式導流繫統及雙加熱器改造直拉爐的熱繫統,進行不同熱繫統下的拉晶試驗,平均拉速從0.6 mm/min提高到0.9 mm/min.用有限元法模擬瞭氬氣的流場及單晶爐的熱場,模擬結果錶明:改造後的氬氣流場被優化,界麵附近的晶體縱嚮溫度梯度增加,鎔體縱嚮溫度梯度減小.
개소료Φ200 mm적태양능용직랍규(CZ Si)단정생장중,채용열병、복합식도류계통급쌍가열기개조직랍로적열계통,진행불동열계통하적랍정시험,평균랍속종0.6 mm/min제고도0.9 mm/min.용유한원법모의료아기적류장급단정로적열장,모의결과표명:개조후적아기류장피우화,계면부근적정체종향온도제도증가,용체종향온도제도감소.
