半导体桥电流电压特性理论仿真研究
반도체교전류전압특성이론방진연구
Theoretic Simulation of the Dynamic Current and Voltage of Semiconductor Bridge
  • 万方数据
    火工品 화공품
    INITIATORS & PYROTECHNICS
    2010年 1期 6-9 ,共4页

    叶家海%汪贵华%秦志春%周彬%张文超%田桂蓉%徐振相

    협가해%왕귀화%진지춘%주빈%장문초%전계용%서진상

    半导体桥%动态特性%电容放电%仿真 半導體橋%動態特性%電容放電%倣真
    반도체교%동태특성%전용방전%방진
    通过试验获得了充电电容对半导体桥(SCB)放电过程中SCB两端的电压以及流过SCB的电流,利用分段计算电阻值变化方法,得到了SCB的温度与电阻的关系,然后运用该关系模拟了SCB的电压--时间和电流--时间的关系曲线.该模拟方法主要从SCB电爆特性的物理意义出发,无需大量的数学束缚条件,且得到的模拟数值与试验结果基本一致.
    통과시험획득료충전전용대반도체교(SCB)방전과정중SCB량단적전압이급류과SCB적전류,이용분단계산전조치변화방법,득도료SCB적온도여전조적관계,연후운용해관계모의료SCB적전압--시간화전류--시간적관계곡선.해모의방법주요종SCB전폭특성적물리의의출발,무수대량적수학속박조건,차득도적모의수치여시험결과기본일치.
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