微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
4期
230-232,253
,共4页
刘如青%高学邦%崔玉兴%张斌
劉如青%高學邦%崔玉興%張斌
류여청%고학방%최옥흥%장빈
GaAs%Ku波段%宽带%功率放大器%单片
GaAs%Ku波段%寬帶%功率放大器%單片
GaAs%Ku파단%관대%공솔방대기%단편
设计并实现了一款Ku波段宽带单片中功率放大器,依据电路原理设计了功率放大器电路,利用ADS软件对设计的电路和版图分别进行了电学参数优化与电磁仿真.放大器采用0.25 μm栅长的GaAs PHEMT作为有源器件,芯片衬底减薄至80μm,采用了NiCr金属膜电阻、重叠式MIM(金属-绝缘体-金属)电容器、空气桥连接和背面通孔接地等工艺技术.放大器芯片输入输出端口匹配到50Q.微波性能测试结果表明,单片放大器的工作频率为13～18 GHz,功率增益19 dB,饱和输出功率29 dBm,功率附加效率30%.
設計併實現瞭一款Ku波段寬帶單片中功率放大器,依據電路原理設計瞭功率放大器電路,利用ADS軟件對設計的電路和版圖分彆進行瞭電學參數優化與電磁倣真.放大器採用0.25 μm柵長的GaAs PHEMT作為有源器件,芯片襯底減薄至80μm,採用瞭NiCr金屬膜電阻、重疊式MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器、空氣橋連接和揹麵通孔接地等工藝技術.放大器芯片輸入輸齣耑口匹配到50Q.微波性能測試結果錶明,單片放大器的工作頻率為13～18 GHz,功率增益19 dB,飽和輸齣功率29 dBm,功率附加效率30%.
설계병실현료일관Ku파단관대단편중공솔방대기,의거전로원리설계료공솔방대기전로,이용ADS연건대설계적전로화판도분별진행료전학삼수우화여전자방진.방대기채용0.25 μm책장적GaAs PHEMT작위유원기건,심편츤저감박지80μm,채용료NiCr금속막전조、중첩식MIM(금속-절연체-금속)전용기、공기교련접화배면통공접지등공예기술.방대기심편수입수출단구필배도50Q.미파성능측시결과표명,단편방대기적공작빈솔위13～18 GHz,공솔증익19 dB,포화수출공솔29 dBm,공솔부가효솔30%.
