重庆师范大学学报（自然科学版）
重慶師範大學學報（自然科學版）
중경사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHONGQING NORMAL UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2012年
2期
77-79
,共3页
PECVD%SiNx薄膜%光致发光
PECVD%SiNx薄膜%光緻髮光
PECVD%SiNx박막%광치발광
SiNx薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜,所以对SiNx薄膜的光学性质研究很有必要.本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜.室温下,在352 nm光源激发下,每个样品有2个发光位置,所有样品总共观测到了4处不同的发光峰位:390、471、545、570 nm,并且发现温度对390 nm处的发光峰位置无影响.由于杂质的引入在带间形成了局域化的缺陷能级,缺陷态能级和导带以及价带之间的跃迁是其主要的跃迁机制.因此,可以通过控制薄膜的生长条件来控制各个缺陷态密度,从而可以实现氮化硅薄膜在可见光范围内的可控发光.
SiNx薄膜已經被廣汎地應用于晶體硅太暘能電池錶麵作為減反和鈍化膜,所以對SiNx薄膜的光學性質研究很有必要.本文採用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)技術,在p型單晶硅(111)襯底上成功地製備瞭不同溫度條件下的SiNx薄膜.室溫下,在352 nm光源激髮下,每箇樣品有2箇髮光位置,所有樣品總共觀測到瞭4處不同的髮光峰位:390、471、545、570 nm,併且髮現溫度對390 nm處的髮光峰位置無影響.由于雜質的引入在帶間形成瞭跼域化的缺陷能級,缺陷態能級和導帶以及價帶之間的躍遷是其主要的躍遷機製.因此,可以通過控製薄膜的生長條件來控製各箇缺陷態密度,從而可以實現氮化硅薄膜在可見光範圍內的可控髮光.
SiNx박막이경피엄범지응용우정체규태양능전지표면작위감반화둔화막,소이대SiNx박막적광학성질연구흔유필요.본문채용등리자체증강화학기상침적(PECVD)기술,재p형단정규(111)츤저상성공지제비료불동온도조건하적SiNx박막.실온하,재352 nm광원격발하,매개양품유2개발광위치,소유양품총공관측도료4처불동적발광봉위:390、471、545、570 nm,병차발현온도대390 nm처적발광봉위치무영향.유우잡질적인입재대간형성료국역화적결함능급,결함태능급화도대이급개대지간적약천시기주요적약천궤제.인차,가이통과공제박막적생장조건래공제각개결함태밀도,종이가이실현담화규박막재가견광범위내적가공발광.
