半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
1期
64-68
,共5页
李蓓%叶志镇%黄靖云%袁国栋%张海燕%赵炳辉
李蓓%葉誌鎮%黃靖雲%袁國棟%張海燕%趙炳輝
리배%협지진%황정운%원국동%장해연%조병휘
ZnO薄膜%磁控溅射%肖特基势垒%I-V特性
ZnO薄膜%磁控濺射%肖特基勢壘%I-V特性
ZnO박막%자공천사%초특기세루%I-V특성
利用直流反应磁控溅射方法在金属Al过渡层上沉积了Si基ZnO晶体薄膜,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试仪对ZnO薄膜的晶体质量和电学性能进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴取向,样品表明光洁、平整,薄膜与衬底之间有清晰的过渡区.在此ZnO薄膜上成功地制备了肖特基二极管的原型器件,室温下的I-V测试结果表明该Au/ZnO/Al肖特基二极管具有明显的整流特性.
利用直流反應磁控濺射方法在金屬Al過渡層上沉積瞭Si基ZnO晶體薄膜,併利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡和擴展電阻測試儀對ZnO薄膜的晶體質量和電學性能進行瞭分析.結果錶明,ZnO薄膜具有高度的c軸取嚮,樣品錶明光潔、平整,薄膜與襯底之間有清晰的過渡區.在此ZnO薄膜上成功地製備瞭肖特基二極管的原型器件,室溫下的I-V測試結果錶明該Au/ZnO/Al肖特基二極管具有明顯的整流特性.
이용직류반응자공천사방법재금속Al과도층상침적료Si기ZnO정체박막,병이용X사선연사、소묘전자현미경화확전전조측시의대ZnO박막적정체질량화전학성능진행료분석.결과표명,ZnO박막구유고도적c축취향,양품표명광길、평정,박막여츤저지간유청석적과도구.재차ZnO박막상성공지제비료초특기이겁관적원형기건,실온하적I-V측시결과표명해Au/ZnO/Al초특기이겁관구유명현적정류특성.
