Si基CdTe复合衬底分子束外延研究
Si기CdTe복합츤저분자속외연연구
Mbe Growth of Si/CdTe( 211 ) Composite Substrates
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2005年 11期 857-860 ,共4页

    陈路%王元樟%巫艳%吴俊%于梅芳%乔怡敏%何力

    진로%왕원장%무염%오준%우매방%교이민%하력

    硅基%碲镉汞%复合衬底%分子束外延 硅基%碲鎘汞%複閤襯底%分子束外延
    규기%제력홍%복합츤저%분자속외연
    文章引入晶格过渡的Si/ZnTe/CdTe作为复合外延基底材料,以阻挡Si/HgCdTe之间大晶格失配产生的高密度位错.通过对低温表面清洁化、面极性控制和孪晶抑制等的研究,解决了Si基CdTe分子束外延生长中诸多的技术难题.在国内首次采用分子束外延(MBE)的方法获得了大面积的Si基CdTe复合衬底材料,对应厚度为4～4.4μm Si/CdTe(211)样品双晶半峰宽的统计平均结果为83弧秒,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶平均水平相当.
    문장인입정격과도적Si/ZnTe/CdTe작위복합외연기저재료,이조당Si/HgCdTe지간대정격실배산생적고밀도위착.통과대저온표면청길화、면겁성공제화련정억제등적연구,해결료Si기CdTe분자속외연생장중제다적기술난제.재국내수차채용분자속외연(MBE)적방법획득료대면적적Si기CdTe복합츤저재료,대응후도위4～4.4μm Si/CdTe(211)양품쌍정반봉관적통계평균결과위83호초,여상동후도적GaAs/CdTe(211)쌍정평균수평상당.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문