中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2007年
4期
569-574
,共6页
张文华%王国栋%王立武%李宗木%徐法强
張文華%王國棟%王立武%李宗木%徐法彊
장문화%왕국동%왕립무%리종목%서법강
8-羟基喹啉铝%铷%同步辐射%光电子能谱
8-羥基喹啉鋁%銣%同步輻射%光電子能譜
8-간기규람려%여%동보복사%광전자능보
利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝(Rb-Alq3)薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为,结果表明铷和Alq3分子发生显著反应,电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道,形成活泼金属/有机接触中典型的带隙态,结合能位于1.2 eV.在低温退火后,Rb-Alq3的价带往高结合能端整体位移0.1 eV,真空能级保持不变,带隙态仍然可辨;深度氧化后,带隙态消失,最高占据态(HOS)基本回到退火氧化处理前的位置,但真空能级抬高了近1 eV.Rb-Alq3氧化后的最小电离势增大了约1 eV,而纯净Alq3薄膜只增大0.05 eV左右.
利用同步輻射光電子能譜實驗技術研究瞭活潑金屬銣原子摻雜8-羥基喹啉鋁(Rb-Alq3)薄膜的電子結構以及低溫退火與氧化行為,結果錶明銣和Alq3分子髮生顯著反應,電子從金屬原子轉移到Alq3的LUMO軌道,形成活潑金屬/有機接觸中典型的帶隙態,結閤能位于1.2 eV.在低溫退火後,Rb-Alq3的價帶往高結閤能耑整體位移0.1 eV,真空能級保持不變,帶隙態仍然可辨;深度氧化後,帶隙態消失,最高佔據態(HOS)基本迴到退火氧化處理前的位置,但真空能級抬高瞭近1 eV.Rb-Alq3氧化後的最小電離勢增大瞭約1 eV,而純淨Alq3薄膜隻增大0.05 eV左右.
이용동보복사광전자능보실험기술연구료활발금속여원자참잡8-간기규람려(Rb-Alq3)박막적전자결구이급저온퇴화여양화행위,결과표명여화Alq3분자발생현저반응,전자종금속원자전이도Alq3적LUMO궤도,형성활발금속/유궤접촉중전형적대극태,결합능위우1.2 eV.재저온퇴화후,Rb-Alq3적개대왕고결합능단정체위이0.1 eV,진공능급보지불변,대극태잉연가변;심도양화후,대극태소실,최고점거태(HOS)기본회도퇴화양화처리전적위치,단진공능급태고료근1 eV.Rb-Alq3양화후적최소전리세증대료약1 eV,이순정Alq3박막지증대0.05 eV좌우.
