东南大学学报（自然科学版）
東南大學學報（自然科學版）
동남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY
2011年
3期
522-525
,共4页
郑维山%孙虎%刘斯扬%孙伟锋
鄭維山%孫虎%劉斯颺%孫偉鋒
정유산%손호%류사양%손위봉
pLEDMOS%热载流子注入%导通电阻%阈值电压%退化
pLEDMOS%熱載流子註入%導通電阻%閾值電壓%退化
pLEDMOS%열재류자주입%도통전조%역치전압%퇴화
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的pLEDMOS器件的离子产生率和纵向电场,模拟结果解释了各种退化现象的机理,同时表明碰撞电离率和纵向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段.
研究瞭不同漂移區長度及不同柵場極闆長度的厚柵氧化層pLEDMOS器件由熱載流子效應導緻的導通電阻及閾值電壓的退化現象及機理.實驗結果錶明,增加漂移區長度能改善器件的導通電阻的退化,但加速瞭閾值電壓的退化;增加柵場極闆長度可以同時改善導通電阻和閾值電壓的退化.藉助TCAD倣真軟件,模擬分析瞭不同漂移區長度及不同柵場極闆長度的pLEDMOS器件的離子產生率和縱嚮電場,模擬結果解釋瞭各種退化現象的機理,同時錶明踫撞電離率和縱嚮電場的優化是改善器件參數退化的有效手段.
연구료불동표이구장도급불동책장겁판장도적후책양화층pLEDMOS기건유열재류자효응도치적도통전조급역치전압적퇴화현상급궤리.실험결과표명,증가표이구장도능개선기건적도통전조적퇴화,단가속료역치전압적퇴화;증가책장겁판장도가이동시개선도통전조화역치전압적퇴화.차조TCAD방진연건,모의분석료불동표이구장도급불동책장겁판장도적pLEDMOS기건적리자산생솔화종향전장,모의결과해석료각충퇴화현상적궤리,동시표명팽당전리솔화종향전장적우화시개선기건삼수퇴화적유효수단.
