真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
5期
570-573
,共4页
林龙%李斌斌%鲁林峰%沈鸿烈%刘斌
林龍%李斌斌%魯林峰%瀋鴻烈%劉斌
림룡%리빈빈%로림봉%침홍렬%류빈
氧化亚铜%磁控溅射%霍尔效应%X射线光电子谱
氧化亞銅%磁控濺射%霍爾效應%X射線光電子譜
양화아동%자공천사%곽이효응%X사선광전자보
通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对Cu2O薄膜性能的影响.结果表明:随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.28 eV升至2.47 eV左右,同时薄膜的电学性能趋于稳定.当N2/O2流量比率为0.6时,薄膜电阻率为1.5Ω·cm,空穴浓度为2.16×1019 cm-3,霍尔迁移率为0.5 cm2·V- ·s-1.
通過射頻反應磁控濺射方法在玻璃襯底上製備N摻雜的Cu2O薄膜,採用X射線衍射、分光光度計、X射線光電子能譜和霍爾效應等檢測,研究瞭氮氣摻雜對Cu2O薄膜性能的影響.結果錶明:隨著N原子的摻入,薄膜的結晶質量下降,光學帶隙從2.28 eV升至2.47 eV左右,同時薄膜的電學性能趨于穩定.噹N2/O2流量比率為0.6時,薄膜電阻率為1.5Ω·cm,空穴濃度為2.16×1019 cm-3,霍爾遷移率為0.5 cm2·V- ·s-1.
통과사빈반응자공천사방법재파리츤저상제비N참잡적Cu2O박막,채용X사선연사、분광광도계、X사선광전자능보화곽이효응등검측,연구료담기참잡대Cu2O박막성능적영향.결과표명:수착N원자적참입,박막적결정질량하강,광학대극종2.28 eV승지2.47 eV좌우,동시박막적전학성능추우은정.당N2/O2류량비솔위0.6시,박막전조솔위1.5Ω·cm,공혈농도위2.16×1019 cm-3,곽이천이솔위0.5 cm2·V- ·s-1.
