半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
5期
530-534
,共5页
殷生毅%陈光华%吴越颖%王青%刘毅%张文理%宋雪梅%邓金祥
慇生毅%陳光華%吳越穎%王青%劉毅%張文理%宋雪梅%鄧金祥
은생의%진광화%오월영%왕청%류의%장문리%송설매%산금상
ECR-CVD%永磁体%磁场%氢化非晶硅
ECR-CVD%永磁體%磁場%氫化非晶硅
ECR-CVD%영자체%자장%경화비정규
为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的MWECR-CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比,薄膜沉积速度大幅度提高,沉积速度达到采用传统RF-PECVD装置时的数倍至十倍.
為瞭簡化多電磁線圈MWECR-CVD裝置,提齣將單箇電磁線圈和一箇永磁體單元組閤,以形成所需的新型磁場.這一磁場可使等離子體集聚于樣片檯上方,顯著提高瞭等離子體的能量密度.應用這種新型磁場的MWECR-CVD裝置沉積氫化非晶硅薄膜,與採用單電磁線圈或雙電磁線圈時相比,薄膜沉積速度大幅度提高,沉積速度達到採用傳統RF-PECVD裝置時的數倍至十倍.
위료간화다전자선권MWECR-CVD장치,제출장단개전자선권화일개영자체단원조합,이형성소수적신형자장.저일자장가사등리자체집취우양편태상방,현저제고료등리자체적능량밀도.응용저충신형자장적MWECR-CVD장치침적경화비정규박막,여채용단전자선권혹쌍전자선권시상비,박막침적속도대폭도제고,침적속도체도채용전통RF-PECVD장치시적수배지십배.
