半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
4期
416-418
,共3页
金属-半导体-金属%叉指电极%电场分布%优化设计
金屬-半導體-金屬%扠指電極%電場分佈%優化設計
금속-반도체-금속%차지전겁%전장분포%우화설계
提出了一种新型具有掩埋电极的金属-半导体-金属(MSM)探测器原型器件结构,并用数值计算的方法研究了其激活层内电场的分布特性,讨论了掩埋电极深度对电场分布的影响,并与传统平面叉指电极结构进行比较,得出该结构对器件性能改善具有重要的作用.
提齣瞭一種新型具有掩埋電極的金屬-半導體-金屬(MSM)探測器原型器件結構,併用數值計算的方法研究瞭其激活層內電場的分佈特性,討論瞭掩埋電極深度對電場分佈的影響,併與傳統平麵扠指電極結構進行比較,得齣該結構對器件性能改善具有重要的作用.
제출료일충신형구유엄매전겁적금속-반도체-금속(MSM)탐측기원형기건결구,병용수치계산적방법연구료기격활층내전장적분포특성,토론료엄매전겁심도대전장분포적영향,병여전통평면차지전겁결구진행비교,득출해결구대기건성능개선구유중요적작용.
