半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
183-185
,共3页
谭卫东%唐有青%马利行%骆红%张文清%高涛
譚衛東%唐有青%馬利行%駱紅%張文清%高濤
담위동%당유청%마리행%락홍%장문청%고도
外延%高阻厚层%自掺杂
外延%高阻厚層%自摻雜
외연%고조후층%자참잡
介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电阻率大于40Ω·cm,厚度大于100μm.研究表明:该外延材料完全可以满足IGBT器件制作的需要.
介紹瞭高阻厚層反型外延片的一種實用生產技術,即在PE-2061S外延設備上,採取特殊的工藝控製在電阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻襯底上實現瞭高阻厚層n型外延生長,外延層電阻率大于40Ω·cm,厚度大于100μm.研究錶明:該外延材料完全可以滿足IGBT器件製作的需要.
개소료고조후층반형외연편적일충실용생산기술,즉재PE-2061S외연설비상,채취특수적공예공제재전조솔소우0.02Ω·cm적p형저조츤저상실현료고조후층n형외연생장,외연층전조솔대우40Ω·cm,후도대우100μm.연구표명:해외연재료완전가이만족IGBT기건제작적수요.
