功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
3期
609-613
,共5页
徐成%刘波%冯高明%吴良才%宋志棠%封松林%Bomy Chen
徐成%劉波%馮高明%吳良纔%宋誌棠%封鬆林%Bomy Chen
서성%류파%풍고명%오량재%송지당%봉송림%Bomy Chen
Sn掺杂%Ge2Sb2Te5%相变存储器%器件单元%存储性能
Sn摻雜%Ge2Sb2Te5%相變存儲器%器件單元%存儲性能
Sn참잡%Ge2Sb2Te5%상변존저기%기건단원%존저성능
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.
採用0.18μm標準工藝製備齣基于Sn摻雜Ge2Sb2Te5相變材料的相變存儲器器件單元,利用自行設計搭建的電學測試繫統研究瞭其存儲性能.結果錶明:Sn的摻雜沒有改變Ge2Sb2Te5的相變特性,其相變闞值電壓和閾值電流分彆為1.6V和25μA;實現瞭器件單元的非晶態(高阻)與晶態(低阻)之間的可逆相變過程;器件單元中相變材料結晶所需電流最低為1.78mA(電流寬度固定為100ns)、結晶時間大于80ns(電流高度固定為3mA);相變材料非晶化脈遲電流寬度為30ns時,所需電流大于3.3mA;與Ge2Sb2Te5相比,Sn的摻雜降低瞭SET操作的脈遲電流寬度,提高瞭結晶速度,有利于提高相變存儲器的存儲速度.
채용0.18μm표준공예제비출기우Sn참잡Ge2Sb2Te5상변재료적상변존저기기건단원,이용자행설계탑건적전학측시계통연구료기존저성능.결과표명:Sn적참잡몰유개변Ge2Sb2Te5적상변특성,기상변감치전압화역치전류분별위1.6V화25μA;실현료기건단원적비정태(고조)여정태(저조)지간적가역상변과정;기건단원중상변재료결정소수전류최저위1.78mA(전류관도고정위100ns)、결정시간대우80ns(전류고도고정위3mA);상변재료비정화맥충전류관도위30ns시,소수전류대우3.3mA;여Ge2Sb2Te5상비,Sn적참잡강저료SET조작적맥충전류관도,제고료결정속도,유리우제고상변존저기적존저속도.
