物理
物理
물리
2008年
9期
628-630
,共3页
半导体%表面重构%相变%硅
半導體%錶麵重構%相變%硅
반도체%표면중구%상변%규
简单介绍了文章作者在半导体硅重构表面及其相变动力学研究方面的进展.近期si(111)(7×7)-(1×1)相变的实验研究发现,将温度升高到相变温度以上时,7×7岛面积以恒定的衰减速率随时间减小至零,且初始面积越大的岛这个衰减速率就越大.文章作者分析了大量的实验事实,由此提出了一个双速相场模型来解释这个重要而令人困惑的现象.模型重点是:在相变过程中,7×7关键结构变化较快,随后的层错消解过程要慢得多.这个模型完美地解释了相关实验现象,说明该模型抓住了关键物理要素,这种相场方法也可以用于其他半导体表面相变研究.
簡單介紹瞭文章作者在半導體硅重構錶麵及其相變動力學研究方麵的進展.近期si(111)(7×7)-(1×1)相變的實驗研究髮現,將溫度升高到相變溫度以上時,7×7島麵積以恆定的衰減速率隨時間減小至零,且初始麵積越大的島這箇衰減速率就越大.文章作者分析瞭大量的實驗事實,由此提齣瞭一箇雙速相場模型來解釋這箇重要而令人睏惑的現象.模型重點是:在相變過程中,7×7關鍵結構變化較快,隨後的層錯消解過程要慢得多.這箇模型完美地解釋瞭相關實驗現象,說明該模型抓住瞭關鍵物理要素,這種相場方法也可以用于其他半導體錶麵相變研究.
간단개소료문장작자재반도체규중구표면급기상변동역학연구방면적진전.근기si(111)(7×7)-(1×1)상변적실험연구발현,장온도승고도상변온도이상시,7×7도면적이항정적쇠감속솔수시간감소지령,차초시면적월대적도저개쇠감속솔취월대.문장작자분석료대량적실험사실,유차제출료일개쌍속상장모형래해석저개중요이령인곤혹적현상.모형중점시:재상변과정중,7×7관건결구변화교쾌,수후적층착소해과정요만득다.저개모형완미지해석료상관실험현상,설명해모형조주료관건물리요소,저충상장방법야가이용우기타반도체표면상변연구.
