华南理工大学学报(自然科学版)
華南理工大學學報(自然科學版)
화남리공대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
5期
23-26,42
,共5页
林晓玲%孔学东%恩云飞%章晓文%姚若河
林曉玲%孔學東%恩雲飛%章曉文%姚若河
림효령%공학동%은운비%장효문%요약하
硅锗异质结晶体管%电流加速%可靠性%热载流子效应
硅鍺異質結晶體管%電流加速%可靠性%熱載流子效應
규타이질결정체관%전류가속%가고성%열재류자효응
电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价SiGe HBT在热载流子效应作用下的可靠性,研究施加应力前后SiGe HBT器件电特性的变化,分析了电特性退化的原因.结果表明:随应力施加时间的增加,SiGe HBT的电流放大系数逐步退化;与传统的电压加速退化试验方法相比,FCSAM显著缩短了试验时间,能对SiGe HBT的长期可靠性进行有效预测.
電壓加速退化試驗方法(OCSAM;EB結反偏)常用于評價硅鍺異質結晶體管(SiGe HBT)的熱載流子效應,但晶體管在高電壓、低電壓分彆作用下所產生的的失效機理併不相同,且耗時長.文中採用電流加速應力試驗方法(FCSAM;EB結反偏、CB結正偏),評價SiGe HBT在熱載流子效應作用下的可靠性,研究施加應力前後SiGe HBT器件電特性的變化,分析瞭電特性退化的原因.結果錶明:隨應力施加時間的增加,SiGe HBT的電流放大繫數逐步退化;與傳統的電壓加速退化試驗方法相比,FCSAM顯著縮短瞭試驗時間,能對SiGe HBT的長期可靠性進行有效預測.
전압가속퇴화시험방법(OCSAM;EB결반편)상용우평개규타이질결정체관(SiGe HBT)적열재류자효응,단정체관재고전압、저전압분별작용하소산생적적실효궤리병불상동,차모시장.문중채용전류가속응력시험방법(FCSAM;EB결반편、CB결정편),평개SiGe HBT재열재류자효응작용하적가고성,연구시가응력전후SiGe HBT기건전특성적변화,분석료전특성퇴화적원인.결과표명:수응력시가시간적증가,SiGe HBT적전류방대계수축보퇴화;여전통적전압가속퇴화시험방법상비,FCSAM현저축단료시험시간,능대SiGe HBT적장기가고성진행유효예측.