井冈山大学学报（自然科学版）
井岡山大學學報（自然科學版）
정강산대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF JINGGANGSHAN UNIVERSITY(SCIENCE AND TECHNOLOGY)
2010年
5期
38-40,58
,共4页
KSi%第一性原理%电子能带结构%态密度
KSi%第一性原理%電子能帶結構%態密度
KSi%제일성원리%전자능대결구%태밀도
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV.详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构.
採用基于第一性原理的密度汎函理論贗勢平麵波方法,對KSi的電子結構進行瞭理論計算,計算錶明KSi是一種準直接帶隙半導體,禁帶寬度為1.42 eV.詳細討論瞭KSi在費米麵附近的價帶與導帶的電子態密度的結構.
채용기우제일성원리적밀도범함이론안세평면파방법,대KSi적전자결구진행료이론계산,계산표명KSi시일충준직접대극반도체,금대관도위1.42 eV.상세토론료KSi재비미면부근적개대여도대적전자태밀도적결구.
