功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2010年
z1期
162-164
,共3页
何建廷%宿元斌%杨淑连%卢恒炜
何建廷%宿元斌%楊淑連%盧恆煒
하건정%숙원빈%양숙련%로항위
ZnO缓冲层%GaN薄膜%退火%结晶
ZnO緩遲層%GaN薄膜%退火%結晶
ZnO완충층%GaN박막%퇴화%결정
用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜.直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛固中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响.
用脈遲激光沉積法(PLD)先在600℃的Si(111)襯底上沉積ZnO薄膜,然後用磁控濺射法再沉積GaN薄膜.直接沉積得到的GaN薄膜是非晶結構,將樣品在氨氣氛固中在850、900、950℃下退火15min得到結晶的GaN薄膜.用X射線衍射(XRD)、傅立葉紅外吸收譜(FTIR)、光緻髮光譜(PL)和掃描電子顯微鏡(SEM)研究瞭ZnO緩遲層對GaN薄膜的結晶和形貌的影響.
용맥충격광침적법(PLD)선재600℃적Si(111)츤저상침적ZnO박막,연후용자공천사법재침적GaN박막.직접침적득도적GaN박막시비정결구,장양품재안기분고중재850、900、950℃하퇴화15min득도결정적GaN박막.용X사선연사(XRD)、부립협홍외흡수보(FTIR)、광치발광보(PL)화소묘전자현미경(SEM)연구료ZnO완충층대GaN박막적결정화형모적영향.