微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
2期
269-273
,共5页
开关电流%存储单元%共源-共栅%反型层%电导比误差
開關電流%存儲單元%共源-共柵%反型層%電導比誤差
개관전류%존저단원%공원-공책%반형층%전도비오차
详细分析了限制开关电流(SI)精度的主要误差,在共源-共栅组态存储单元的基础上,根据在开关晶体管关断前消除反型层可以改善电荷注入误差的原理,提出一种新型低误差开关电流存储单元.其主要思想是通过消除开关晶体管沟道内的可动电荷、降低存储单元的输出电导,以改善电荷注入误差和电导比误差.采用TSMC 0.25μtm CMOS模型参数进行HSPICE仿真,结果表明,该结构能够很好地降低电路误差,提高开关电流电路的精度.
詳細分析瞭限製開關電流(SI)精度的主要誤差,在共源-共柵組態存儲單元的基礎上,根據在開關晶體管關斷前消除反型層可以改善電荷註入誤差的原理,提齣一種新型低誤差開關電流存儲單元.其主要思想是通過消除開關晶體管溝道內的可動電荷、降低存儲單元的輸齣電導,以改善電荷註入誤差和電導比誤差.採用TSMC 0.25μtm CMOS模型參數進行HSPICE倣真,結果錶明,該結構能夠很好地降低電路誤差,提高開關電流電路的精度.
상세분석료한제개관전류(SI)정도적주요오차,재공원-공책조태존저단원적기출상,근거재개관정체관관단전소제반형층가이개선전하주입오차적원리,제출일충신형저오차개관전류존저단원.기주요사상시통과소제개관정체관구도내적가동전하、강저존저단원적수출전도,이개선전하주입오차화전도비오차.채용TSMC 0.25μtm CMOS모형삼수진행HSPICE방진,결과표명,해결구능구흔호지강저전로오차,제고개관전류전로적정도.
