电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2004年
4期
11-14,18
,共5页
王宁%赵梅瑜%李蔚%殷之文
王寧%趙梅瑜%李蔚%慇之文
왕저%조매유%리위%은지문
微波介质陶瓷%非化学计量%铌酸铋
微波介質陶瓷%非化學計量%鈮痠鉍
미파개질도자%비화학계량%니산필
为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响，对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究，结果表明，A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长，使其烧结温度降低，烧结样品的晶相组成仍为正交BiNbO4相，微波介电性能有所改善；A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响，Bi过量达0.030时，烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生，样品的微波介电性能急剧恶化.
為瞭研究燒成過程中可能的Bi揮髮對BiNbO4繫材料造成的影響，對A位非化學計量的Bi(1+x)NbO4材料燒結性能、晶相結構、顯微織構及微波介電性能作瞭詳細研究，結果錶明，A位Bi少量缺量可以促進BiNbO4陶瓷晶粒的生長，使其燒結溫度降低，燒結樣品的晶相組成仍為正交BiNbO4相，微波介電性能有所改善；A位Bi過量對BiNbO4陶瓷的燒結性沒有明顯影響，Bi過量達0.030時，燒結樣品內有富Bi的Bi5Nb3O15第二相產生，樣品的微波介電性能急劇噁化.
위료연구소성과정중가능적Bi휘발대BiNbO4계재료조성적영향，대A위비화학계량적Bi(1+x)NbO4재료소결성능、정상결구、현미직구급미파개전성능작료상세연구，결과표명，A위Bi소량결량가이촉진BiNbO4도자정립적생장，사기소결온도강저，소결양품적정상조성잉위정교BiNbO4상，미파개전성능유소개선；A위Bi과량대BiNbO4도자적소결성몰유명현영향，Bi과량체0.030시，소결양품내유부Bi적Bi5Nb3O15제이상산생，양품적미파개전성능급극악화.
