CAJ | 학술논문

采用中频交流磁控溅射方法制备了CuInGa(CIG)前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜.采用扫描电子显微镜和X射线衍射观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌.着重分析了CIG前驱膜中的Ga含量对CIGS吸收层薄膜成分、晶体结构的影响.结果表明,通过调节CIG前驱膜的Ga含量可制备得到Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可调的成分分布均匀的CIGS薄膜.CIGS薄膜由Cu(In1-xGax)Se2固溶体相组成,Ga主要是以替代In的固溶形式存在.在CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.24和0.30W/cm2条件下制备的CIG前驱膜经固态硒化处理可获得Ga/(In+Ga)比高达0.270:1的CIGS薄膜.
채용중빈교류자공천사방법제비료CuInGa(CIG)전구막,병채용고태서화법진행처리,획득료Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)흡수층박막.채용소묘전자현미경화X사선연사관찰화분석료박막적성분、조직결구화표면형모.착중분석료CIG전구막중적Ga함량대CIGS흡수층박막성분、정체결구적영향.결과표명,통과조절CIG전구막적Ga함량가제비득도Cu/(In+Ga)원자비접근1,차Ga/(In+Ga)비례가조적성분분포균균적CIGS박막.CIGS박막유Cu(In1-xGax)Se2고용체상조성,Ga주요시이체대In적고용형식존재.재CuIn화CuGa합금파적공솔밀도분별위0.24화0.30W/cm2조건하제비적CIG전구막경고태서화처리가획득Ga/(In+Ga)비고체0.270:1적CIGS박막.