真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
4期
341-345
,共5页
谢振宇%龙春平%邓朝勇%林承武
謝振宇%龍春平%鄧朝勇%林承武
사진우%룡춘평%산조용%림승무
栅界面层%氮化硅%光禁带宽度%介电常数%导通电流
柵界麵層%氮化硅%光禁帶寬度%介電常數%導通電流
책계면층%담화규%광금대관도%개전상수%도통전류
采用傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪和YAF-5000M等测试仪器,对薄膜晶体栅界面层的键结构及含量、光学性能、物理性能以及晶体管导电性能进行分析研究.重点讨论了键含量与薄膜禁带宽度和介电常数的关系.结果表明:提高栅界面层N-H键含量(或减少Si-H键含量)能提高光禁带宽度和相对介电常数.栅界面层能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界面性能,提高薄膜晶体管的稳定性和场效应迁移率.
採用傅裏葉變換紅外光譜儀、橢偏儀和YAF-5000M等測試儀器,對薄膜晶體柵界麵層的鍵結構及含量、光學性能、物理性能以及晶體管導電性能進行分析研究.重點討論瞭鍵含量與薄膜禁帶寬度和介電常數的關繫.結果錶明:提高柵界麵層N-H鍵含量(或減少Si-H鍵含量)能提高光禁帶寬度和相對介電常數.柵界麵層能改善非晶氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的界麵性能,提高薄膜晶體管的穩定性和場效應遷移率.
채용부리협변환홍외광보의、타편의화YAF-5000M등측시의기,대박막정체책계면층적건결구급함량、광학성능、물이성능이급정체관도전성능진행분석연구.중점토론료건함량여박막금대관도화개전상수적관계.결과표명:제고책계면층N-H건함량(혹감소Si-H건함량)능제고광금대관도화상대개전상수.책계면층능개선비정담화규박막화비정규박막적계면성능,제고박막정체관적은정성화장효응천이솔.
