固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
75-80
,共6页
董建明%王安国%何庆国%郭文椹%李振国
董建明%王安國%何慶國%郭文椹%李振國
동건명%왕안국%하경국%곽문심%리진국
膺配高电子迁移率晶体管%平衡式结构%宽带低噪声放大器%兰格耦合器
膺配高電子遷移率晶體管%平衡式結構%寬帶低譟聲放大器%蘭格耦閤器
응배고전자천이솔정체관%평형식결구%관대저조성방대기%란격우합기
采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8~18 GHz的宽带内增益大于30 dB,增益平坦度小于3 dB,噪声系数小于2.0 dB,输入输出驻波比小于2.5,1 dB压缩点输出功率为15.8 dBm.该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上.
採用平衡式結構設計瞭微波寬帶低譟聲放大器,測試結果:在頻率為8~18 GHz的寬帶內增益大于30 dB,增益平坦度小于3 dB,譟聲繫數小于2.0 dB,輸入輸齣駐波比小于2.5,1 dB壓縮點輸齣功率為15.8 dBm.該放大器製作在氧化鋁陶瓷基闆上.
채용평형식결구설계료미파관대저조성방대기,측시결과:재빈솔위8~18 GHz적관대내증익대우30 dB,증익평탄도소우3 dB,조성계수소우2.0 dB,수입수출주파비소우2.5,1 dB압축점수출공솔위15.8 dBm.해방대기제작재양화려도자기판상.