光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2008年
10期
1800-1804
,共5页
程晓敏%王昊%杨晓非%缪向水%李震%李佐宜
程曉敏%王昊%楊曉非%繆嚮水%李震%李佐宜
정효민%왕호%양효비%무향수%리진%리좌의
超分辨近场结构%光磁混合存储介质%温度场
超分辨近場結構%光磁混閤存儲介質%溫度場
초분변근장결구%광자혼합존저개질%온도장
为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸,建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场光场模型及温度场模型,采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟.计算小采用日的光磁混合记录介质膜层结构为C(2 nm)/Sb(10 nm)/SiN(10 nm)/CO75Cr15Pt10(30 nm).当写入温度为550 K时,随着入射激光功率的增加,光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加.当激光功率从3.9 mW增至6.9 mW时,温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约1倍,记录密度减小至原记录密度的1/4.
為瞭進一步減小光磁混閤存儲記錄位呎吋,建立瞭用于光磁混閤存儲記錄介質的超分辨近場結構膜層模型、近場光場模型及溫度場模型,採用有限元方法對超分辨近場結構光磁混閤存儲介質記錄層的溫度場進行瞭計算模擬.計算小採用日的光磁混閤記錄介質膜層結構為C(2 nm)/Sb(10 nm)/SiN(10 nm)/CO75Cr15Pt10(30 nm).噹寫入溫度為550 K時,隨著入射激光功率的增加,光磁混閤存儲介質記錄層溫度場可寫入區域麵積增加.噹激光功率從3.9 mW增至6.9 mW時,溫度場可寫入區域橫嚮及縱嚮呎吋增加約1倍,記錄密度減小至原記錄密度的1/4.
위료진일보감소광자혼합존저기록위척촌,건립료용우광자혼합존저기록개질적초분변근장결구막층모형、근장광장모형급온도장모형,채용유한원방법대초분변근장결구광자혼합존저개질기록층적온도장진행료계산모의.계산소채용일적광자혼합기록개질막층결구위C(2 nm)/Sb(10 nm)/SiN(10 nm)/CO75Cr15Pt10(30 nm).당사입온도위550 K시,수착입사격광공솔적증가,광자혼합존저개질기록층온도장가사입구역면적증가.당격광공솔종3.9 mW증지6.9 mW시,온도장가사입구역횡향급종향척촌증가약1배,기록밀도감소지원기록밀도적1/4.
