太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2009年
4期
426-429
,共4页
韩东麟%张弓%庄大明%元金石%宋军
韓東麟%張弓%莊大明%元金石%宋軍
한동린%장궁%장대명%원금석%송군
太阳电池%CIGS%磁控溅射%薄膜%硒化
太暘電池%CIGS%磁控濺射%薄膜%硒化
태양전지%CIGS%자공천사%박막%서화
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CulEnGa(cIc)预制膜.以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响.采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构.结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向.随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大.当Ar流量为0.20m3/h时,薄膜的孔隙最少.当Ar流量达到0.40m3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长.当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围.
採用中頻交流磁控濺射方法,在Mo層上沉積瞭CulEnGa(cIc)預製膜.以Ar為載氣,採用固態硒化法製備穫得瞭Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收層薄膜,攷察瞭Ar流量對CIGS薄膜結構和形貌的影響.採用SEM和EDS觀察和分析瞭薄膜的錶麵形貌和成份,採用XRD錶徵瞭薄膜的組織結構.結果錶明,在不同Ar流量下製備的CIGS薄膜均具有單一的黃銅礦相結構,薄膜具有(112)麵的擇優取嚮.隨著Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直徑增大.噹Ar流量為0.20m3/h時,薄膜的孔隙最少.噹Ar流量達到0.40m3/h時,薄膜晶粒齣現明顯的柱狀生長.噹Ar流量為0.10、0.20和0.30 m3/h時,所製得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,處于弱p型的理想範圍.
채용중빈교류자공천사방법,재Mo층상침적료CulEnGa(cIc)예제막.이Ar위재기,채용고태서화법제비획득료Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)흡수층박막,고찰료Ar류량대CIGS박막결구화형모적영향.채용SEM화EDS관찰화분석료박막적표면형모화성빈,채용XRD표정료박막적조직결구.결과표명,재불동Ar류량하제비적CIGS박막균구유단일적황동광상결구,박막구유(112)면적택우취향.수착Ar류량적증대,CIGS박막정립직경증대.당Ar류량위0.20m3/h시,박막적공극최소.당Ar류량체도0.40m3/h시,박막정립출현명현적주상생장.당Ar류량위0.10、0.20화0.30 m3/h시,소제득적CIGS박막적Cu、In、Ga원자함량비,처우약p형적이상범위.