化工学报
化工學報
화공학보
JOURNAL OF CHEMICAL INDUSY AND ENGINEERING (CHINA)
2011年
3期
870-874
,共5页
杨友文%陈延彪%吴玉程%解挺%刘飞
楊友文%陳延彪%吳玉程%解挺%劉飛
양우문%진연표%오옥정%해정%류비
脉冲电沉积%InSb/Sb超晶格%组分%结构
脈遲電沉積%InSb/Sb超晶格%組分%結構
맥충전침적%InSb/Sb초정격%조분%결구
采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试.高度有序的Insb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600.实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm.超晶格纳米线生长过程的研究表明:温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中,Sb的沉积速率要大于InSb的沉积速率.
採用脈遲電沉積技術在氧化鋁模闆中製備得到直徑60 nm的InSb/Sb超晶格納米線陣列,併運用掃描電鏡、透射電鏡和電子能譜儀對其形貌與結構進行瞭錶徵與測試.高度有序的Insb/Sb超晶格納米線長度約為40μm,其長徑比超過600.實驗中,通過改變沉積電壓與時間達到瞭對超晶格納米線組分與結構的控製,納米線陣列中In與Sb的原子質量比接近于1/2,在每箇週期中,InSb的厚度為12 nm,Sb的厚度為20 nm.超晶格納米線生長過程的研究錶明:溫度、電壓等工藝參數對超晶格納米線的生長有著重要影響,在沉積過程中,Sb的沉積速率要大于InSb的沉積速率.
채용맥충전침적기술재양화려모판중제비득도직경60 nm적InSb/Sb초정격납미선진렬,병운용소묘전경、투사전경화전자능보의대기형모여결구진행료표정여측시.고도유서적Insb/Sb초정격납미선장도약위40μm,기장경비초과600.실험중,통과개변침적전압여시간체도료대초정격납미선조분여결구적공제,납미선진렬중In여Sb적원자질량비접근우1/2,재매개주기중,InSb적후도위12 nm,Sb적후도위20 nm.초정격납미선생장과정적연구표명:온도、전압등공예삼수대초정격납미선적생장유착중요영향,재침적과정중,Sb적침적속솔요대우InSb적침적속솔.
