中国传媒大学学报(自然科学版)
中國傳媒大學學報(自然科學版)
중국전매대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF COMMUNICATION UNIVERSITY OF CHINA(SCIENCE AND TECHNOLOGY)
2011年
1期
71-75
,共5页
石生玉%逯贵祯%李钦%葛媛媛
石生玉%逯貴禎%李欽%葛媛媛
석생옥%록귀정%리흠%갈원원
低噪声放大器%噪声系数%温度补偿
低譟聲放大器%譟聲繫數%溫度補償
저조성방대기%조성계수%온도보상
从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于x波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器.测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB.
從穫取最小譟聲繫數角度來進行電路設計,採用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工藝芯片(T=18GHz),設計瞭工作于x波段(9-11GHz)的兩級寬帶低譟聲放大器.測試結果為:在9-11GHz,譟聲繫數小于1.15dB,最小譟聲繫數在9.8GHz為1.015dB,功率增益在所需頻段9-11GHz大于24dB,輸入和輸齣迴波損耗均小于-10dB.
종획취최소조성계수각도래진행전로설계,채용Avago공사적0.2um GaAs pHEMT공예심편(T=18GHz),설계료공작우x파단(9-11GHz)적량급관대저조성방대기.측시결과위:재9-11GHz,조성계수소우1.15dB,최소조성계수재9.8GHz위1.015dB,공솔증익재소수빈단9-11GHz대우24dB,수입화수출회파손모균소우-10dB.