真空
真空
진공
VACUUM
2011年
5期
55-57
,共3页
TiN%反应磁控溅射%功能装饰薄膜%偏压
TiN%反應磁控濺射%功能裝飾薄膜%偏壓
TiN%반응자공천사%공능장식박막%편압
本文采用直流反应磁控溅射技术,以Ar和N2为反应前驱气体制备了TiN功能装饰薄膜.重点研究了衬底负偏压对沉积TiN薄膜的色泽、性能及微结构的影响.采用台阶轮廓仪、X射线衍射仪、EDS能谱仪、纳米压痕仪等分析了薄膜的粗糙度、晶相、组分、纳米硬度以及弹性模量.结果表明,采用适宜的衬底负偏压调控轰击离子能量,能够有效阻止薄膜结构中空位以及缺陷的产生,从而有效避免薄膜表面的紫黑色氧化钛的生成,有利于表面光滑的金黄色TiN薄膜制备,同时使薄膜具备更优异的力学性能.实验结果还表明基体偏压可显著影响TiN薄膜的择优生长取向:随偏压增加,薄膜由(111)晶相择优生长转变为(200)晶相的择优生长,(200)晶相的薄膜比(111)晶相薄膜具有更佳的力学性能.
本文採用直流反應磁控濺射技術,以Ar和N2為反應前驅氣體製備瞭TiN功能裝飾薄膜.重點研究瞭襯底負偏壓對沉積TiN薄膜的色澤、性能及微結構的影響.採用檯階輪廓儀、X射線衍射儀、EDS能譜儀、納米壓痕儀等分析瞭薄膜的粗糙度、晶相、組分、納米硬度以及彈性模量.結果錶明,採用適宜的襯底負偏壓調控轟擊離子能量,能夠有效阻止薄膜結構中空位以及缺陷的產生,從而有效避免薄膜錶麵的紫黑色氧化鈦的生成,有利于錶麵光滑的金黃色TiN薄膜製備,同時使薄膜具備更優異的力學性能.實驗結果還錶明基體偏壓可顯著影響TiN薄膜的擇優生長取嚮:隨偏壓增加,薄膜由(111)晶相擇優生長轉變為(200)晶相的擇優生長,(200)晶相的薄膜比(111)晶相薄膜具有更佳的力學性能.
본문채용직류반응자공천사기술,이Ar화N2위반응전구기체제비료TiN공능장식박막.중점연구료츤저부편압대침적TiN박막적색택、성능급미결구적영향.채용태계륜곽의、X사선연사의、EDS능보의、납미압흔의등분석료박막적조조도、정상、조분、납미경도이급탄성모량.결과표명,채용괄의적츤저부편압조공굉격리자능량,능구유효조지박막결구중공위이급결함적산생,종이유효피면박막표면적자흑색양화태적생성,유리우표면광활적금황색TiN박막제비,동시사박막구비경우이적역학성능.실험결과환표명기체편압가현저영향TiN박막적택우생장취향:수편압증가,박막유(111)정상택우생장전변위(200)정상적택우생장,(200)정상적박막비(111)정상박막구유경가적역학성능.
