半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
1期
43-47
,共5页
GaAs%断裂模数%退火
GaAs%斷裂模數%退火
GaAs%단렬모수%퇴화
在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数.原生GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,而退火GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa.
在LEC GaAs晶片中,存在相噹大的彈性應變,在高溫退火後,晶片的晶格參數的相對變化量不到原生晶片的70%,殘餘應力得以部分釋放,從而減小殘餘應力誘生斷裂的可能性,提高瞭GaAs晶體的斷裂模數.原生GaAs晶體加工的樣品的斷裂模數平均值約為135MPa,而退火GaAs晶體加工的樣品的斷裂模數平均值更高,約為150MPa,斷裂模數最高值達163MPa.
재LEC GaAs정편중,존재상당대적탄성응변,재고온퇴화후,정편적정격삼수적상대변화량불도원생정편적70%,잔여응력득이부분석방,종이감소잔여응력유생단렬적가능성,제고료GaAs정체적단렬모수.원생GaAs정체가공적양품적단렬모수평균치약위135MPa,이퇴화GaAs정체가공적양품적단렬모수평균치경고,약위150MPa,단렬모수최고치체163MPa.
