SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响
SOI규막후도대RESURF LDMOS삼수적영향
Effect of SOI Thickness on Parameters of RESURF LDMOS
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 3期 536-540 ,共5页

    孙智林%孙伟锋%吴建辉

    손지림%손위봉%오건휘

    LDMOS%RESURF%SOI LDMOS%RESURF%SOI
    LDMOS%RESURF%SOI
    对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.
    대SOI LDMOS진행료건모,득도료기건각주요삼수적최우치여SOI규막후도적관계식.이차위기출용전업연건Medici화Tsuprem-4대기건진행료모의,득도료최우표이구농도、최우격천전압등삼수수SOI규막후도적변화곡선,저사결과대실제기건적설계이급공예생산구유삼고의의.
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