CAJ | 학술논문

由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.
유우여GaN정격실배소(약1.4%),γ-LiAlO2단정유망성위GaN외연츤저재료.본문수선사용제랍법생장출료척촌체φ45×50mm3적γ-LiAlO2단정,연후채용Ga2O3작위참잡제,잉용제랍법생장출료삼충불동참가농도적LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)정체,병용X사선분말연사(XRPD)분별대정체급감과중잉여적용체적성빈진행료표정.결과표명LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)정체귀속우γ-LiAlO2결정결구,Ga3+리자부분지취대Al3+리자,발생분응차분응계수소우1.