半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
6期
1144-1148
,共5页
黄代绘%吴海霞%李卫%冯良桓
黃代繪%吳海霞%李衛%馮良桓
황대회%오해하%리위%풍량환
真空沉积%CdS/CdTe异质结%价带偏移%导带偏移
真空沉積%CdS/CdTe異質結%價帶偏移%導帶偏移
진공침적%CdS/CdTe이질결%개대편이%도대편이
采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异质结的价带偏移△Ev=0.98eV±0.05eV,导带偏移△Ec=0.07士0.1eV.
採用真空蒸髮法製備瞭CdS和CdTe,併對其結構和光學性質進行瞭研究.原位製備瞭襯底沿(001)高度擇優取嚮的CdS/CdTe異質結,研究瞭其結構、電子學性質.穫得的CdS/CdTe半導體異質結的價帶偏移△Ev=0.98eV±0.05eV,導帶偏移△Ec=0.07士0.1eV.
채용진공증발법제비료CdS화CdTe,병대기결구화광학성질진행료연구.원위제비료츤저연(001)고도택우취향적CdS/CdTe이질결,연구료기결구、전자학성질.획득적CdS/CdTe반도체이질결적개대편이△Ev=0.98eV±0.05eV,도대편이△Ec=0.07사0.1eV.
