蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
람보석츤저상단정InN외연막적RF-MBE생장
RF-MBE Growth of an InN Epilayer on Sapphire Substrate
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 6期 1169-1172 ,共4页

    肖红领%王晓亮%张南红%王军喜%刘宏新%韩勤%曾一平%李晋闽

    초홍령%왕효량%장남홍%왕군희%류굉신%한근%증일평%리진민

    RF-MBE%氮化铟%DCXRD%AFM RF-MBE%氮化銦%DCXRD%AFM
    RF-MBE%담화인%DCXRD%AFM
    采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).
    채용저온담화인(InN)완충층,이용사빈등리자체보조분자속외연(RF-MBE)방법재람보석츤저상획득료정체질량교호적단정InN외연막.용광학현미경관찰소외연적InN단정박막,표면무인적.InN(0002)쌍정X사선연사요파곡선적반고관위14′;용원자력현미경측득적표면평균조조도위3.3nm;Hall측량표명InN외연막적실온배경전자농도위3.3×1018cm-3,상응적전자천이솔위262cm2/(V·s).
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